LPDDR3

LPDDR Nexus

LPDDR — тип оперативной памяти для смартфонов и планшетов. Известен также под названиями mDDR, Low Power DDR.

Поддерживаются устройства со стандартом JEDEC 209[1].


LPDDR[ | ]

Оригинальная LPDDR (LPDDR1) — модификация памяти DDR SDRAM c некоторыми изменениями для снижения энергопотребления.

Важнейшее изменение — снижение напряжения питания с 2,5 до 1,8V. Дополнительная экономия осуществляется за счет увеличения времени обновления при низкой температуре (DRAM реже обновляется при низких температурах), частичный блок самообновления и режим «Глубокий сон» (deep power down), который стирает из памяти абсолютно все. Плюс ко всему, чипы очень маленького размера и, соответственно, занимают меньше места на плате, чем их компьютерные аналоги. Samsung и Micron являются ведущими производителями и поставщиками этого типа памяти и используется на таких планшетах, как Apple iPad, Samsung Galaxy Tab и в телефоне Motorola Droid X.

LPDDR2[ | ]

Новый стандарт JEDEC JESD209-2E переработан для низкопотребляемых интерфейсов DDR. Он не совместим с DDR и DDR2 SDRAM, но может размещаться в следующих интерфейсах:

  • LPDDR2-S2: 2n память с предвыборкой (DDR1);
  • LPDDR2-S4: 4n память с предвыборкой (DDR2);
  • LPDDR2-N: Энергонезависимая (NAND flash) память.

Памяти с низким энергопотреблением похожи на стандартную LPDDR, но с некоторыми изменениями в блоке перезарядки.

Тайминги задаются для LPDDR-200 LPDDR-1066 (тактовая частота от 100 до 533 МГц).

Работа в 1,2 В, LPDDR2 мультиплексирует контроль по адресной линии 10-битной двухтактовой шины передачи данных CA. Команды аналогичны компьютерным модулям SDRAM, за исключением перераспределения предварительной зарядки, и ы операции предотвращения возгораний.

LPDDR3[ | ]

В мае 2012[2] JEDEC опубликовал стандарт JESD209-3 (LPDDR3)[3]. По сравнению с LPDDR2, в LPDDR3 предлагается более высокая скорость обмена данными, увеличенная энергоэффективность и большая плотность памяти. Память LPDDR3 может работать на скоростях до 1600 MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии как: write-leveling, command/address training[4], опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую ёмкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.

ирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate)[3]. Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8n-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.

Samsung предполагал, что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800 МГц (1600 MT/s), предоставляя пропускную способность, сравнимую (без учёта многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 SO-DIMM 2011 года (12,8 ГБ/с)[5]. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года[источник не указан 1979 дней].

LPDDR3 обеспечивает скорость передачи данных 1600 MT/s (по сравнению с 1066 MT/s для LPDDR2).

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S4[6].

LPDDR4[ | ]

Модули памяти LPDDR4 отличаются увеличенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3. Энергопотребление, снижено с 1,2 В до 1,1 В.

Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC[7]. В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 Гб) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200 MT/s, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1.1 вольта[8].

25 августа 2014 года JEDEC выпустила стандарт JESD209-4 (LPDDR4)[9].

LPDDR4 запускается со скоростью ввода-вывода 3200 MT/s и целевой скоростью 4266 MT/s по сравнению с 2133 MT/s для LPDDR3.

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S6.

LPDDR4x[ | ]

В LPDDR4X напряжение питания ввода-вывода (VDDQ) снижено с 1,1 В до 0,6 В. Это снижение напряжения на 40% приводит к гораздо меньшему потреблению энергии при отправке и получении данных с устройства памяти, что особенно полезно для смартфонов и других устройств. JEDEC опубликовал стандарт LPDDR4X 8 марта 2017 года.[10]

LPDDR5[ | ]

19 февраля 2019 года JEDEC опубликовал стандарт JESD209-5 (LPDDR5). [11] Для LPDDR5 заявлена скорость передачи данных 6400 (Т/с) (MT/s), по сравнению с 3200 MT/s для LPDDR4 (на момент публикации в 2014 году).

2021: производство[12]

Примечания[ | ]

  1. LPDDR-Texas Instruments wiki (недоступная ссылка). Дата обращения: 16 июня 2012. Архивировано 5 марта 2012 года.
  2. JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips Архивная копия от 20 мая 2012 на Wayback Machine, Solid State Technology magazine
  3. 1 2 JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association
  4. Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up Архивировано 28 июля 2013 года., Denali Memory Report
  5. Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014 — Bright Side of News
  6. Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально — iXBT Архивировано 23 октября 2017 года.
  7. JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology
  8. Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM
  9. JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices, JEDEC Solid State Technology Association
  10. JEDEC Updates Standards for Low Power Memory Devices | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021.
  11. JEDEC Updates Standard for Low Power Memory Devices: LPDDR5 | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021.
  12. Micron представила самую надёжную память LPDDR5 для автомобильной электроники // 25.02.2021