14 nanometer

14 нанометров (14 нм) — название технологии изготовления полупроводниковых схем, последующее за технологией 22 нм/20 нм. Термин «14 нанометров» был применен к технологии в соответствии международной Технологической дорожной картой для полупроводников (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS).

Использование технологии «14 нанометров» позволит создавать микросхемы с большим количеством электронных элементов на единице площади, что в свою очередь позволит увеличить емкость флеш-памяти, создавать процессоры с большим количеством ядер, разрабатывать более тонкие устройства и т.д. Первые микросхемы в технологии 14 нм были отгружены потребителям Intel в 2014 году.

История[ | код]

По состоянию на сентябрь 2014 TSMC продолжались разработки 16 нм техпроцесса на транзисторах с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET) и планирует начать 16 нм производство в 1 квартале 2015 года[1].

Согласно стратегии фирмы Intel уменьшение техпроцесса до 14 нм изначально ожидалось через год, после представления чипа Haswell; процессоры на новом техпроцессе будут использовать архитектуру с названием Broadwell.

Строительство завода Intel под названием Fab 42 в американском штате Аризона началось в середине 2011 года, а в эксплуатацию планировалось сдать в 2013 году. По заявлению Intel, он стал бы самым современным заводом по массовому выпуску компьютерных процессоров, используя 14-нанометровую технологию на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Завод также стал бы первым массовым производством, совместимым с 450-мм пластинами.[2][3] В стройку планируется вложить более $5 млрд. На момент запуска Fab 42 станет, по ожиданиям, одним из самых передовых в мире заводов по выпуску полупроводниковой продукции в больших объёмах.

В январе 2014 года Intel объявила о задержке открытия завода Fab 42[4]. Открытие завода планируется в IV квартале 2014 года, массовое производство в I квартале 2015 года[5].

По состоянию на май 2014 компания Samsung продолжает разработки техпроцессов 14 нм LPE/LPP[6]. В 2015 году Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм[7].

С апреля 2015 года компания Intel начала продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell).[8]

Компания МЦСТ к 2020 году планирует выпускать 14-нм процессор Эльбрус-32С[9].

Технология изготовления[ | код]

Для критических слоев техпроцесса 14 нм Intel потребовалось применение масок с технологией Inverse Lithography (ILT) и SMO (Source Mask Optimization)[10]

См. также[ | код]

Примечания[ | код]

  1. ↑ TSMC начнёт 16 нм производство в 1 квартале 2015 года.
  2. ↑ A First Look at Intel’s 14nm Fab 42 Manufacturing Facility // January 25, 2012 by Douglas Perry — source: VLSI Research; на русском: Intel Fab 42: первые фото строящегося производства по созданию 14 нм процессоров. Цитата: «first volume production facility that is compatible with 450 mm wafers»
  3. ↑ Update: Intel to build fab for 14-nm chips // Mark LaPedus 2/18/2011 «Fab 42, will be a 300-mm plant. It will also be compatible for 450-mm»
  4. ↑ Intel cancels 14nm Fab 42 in Arizona, due to increasing competition from ARM. // ExtremeTech
  5. ↑ Intel postpones Broadwell availability to 4Q14
  6. ↑ http://www.digitimes.com/news/a20140514PD208.html
  7. ↑ Samsung будет выпускать процессоры для Apple по нормам 14 нм. Архивировано 5 июля 2017 года. // iXBT.com
  8. ↑ Intel начинает продажи 14-нм процессоров Celeron N3000, N3050, N3150 и Pentium N3700 (Braswell) // 1.04.2015
  9. ↑ «Российские технологии «Эльбрус» для персональных компьютеров, серверов и суперкомпьютеров».
  10. ↑ V. Singh. EUV: The Computational Landscape EUVL Workshop, 2014 «ILT+SMO are used to sharpen the image of critical masks for 14nm and 10nm nodes»